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霍爾式電流傳感器的構(gòu)造原理以及分類(lèi)介紹!
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發(fā)布時(shí)間:2022年4月29日                      作者:德國(guó)GMC-I高美測(cè)儀(上海電勵(lì)士)

霍爾電流傳感器分類(lèi):

本文會(huì)著重分析到的霍爾式,在遍及工業(yè)與生活的各大領(lǐng)域中,電流檢測(cè)是不容忽視的一個(gè)重要市場(chǎng)門(mén)類(lèi)。傳統(tǒng)上,常見(jiàn)到的檢測(cè)技術(shù)包括電阻采樣式(Shunt),電流互感器式(Current Transformer),磁阻式(xMR)等。

霍爾式電流傳感器具有當(dāng)今業(yè)界技術(shù)成熟和性?xún)r(jià)比最高等特點(diǎn),因而廣受業(yè)內(nèi)人士的喜愛(ài);能檢測(cè)的范圍涵蓋DC和AC,電流從A級(jí)到kA級(jí),靈敏度適中。

霍爾式又可以分為閉環(huán)式和開(kāi)環(huán)式電流互感器。從構(gòu)造復(fù)雜度和性?xún)r(jià)比而言,開(kāi)環(huán)式結(jié)構(gòu)有著更高的綜合效益。開(kāi)環(huán)霍爾檢測(cè),主要有單芯片檢測(cè)技術(shù),和霍爾檢測(cè)模塊技術(shù)兩種。單芯片技術(shù)對(duì)于小電流范圍和低功耗應(yīng)用好。---線(xiàn)性霍爾傳感器

本文將針對(duì)霍爾電流模塊,著重探討其中的磁場(chǎng)學(xué)考量和電子設(shè)計(jì)因素,以幫助您進(jìn)行模塊設(shè)計(jì)。

我們知道,霍爾效應(yīng)利用垂直磁場(chǎng)中的霍爾板,感應(yīng)出與磁場(chǎng)成正比的電壓(即霍爾電壓)的原理,進(jìn)行磁場(chǎng)測(cè)量。現(xiàn)實(shí)世界中的磁場(chǎng)源無(wú)非三種,磁鐵是其中一種,而導(dǎo)體流過(guò)的電流,也是重要的一種。根據(jù)安培右手螺旋定則,直導(dǎo)線(xiàn)電流,產(chǎn)生環(huán)繞導(dǎo)線(xiàn)方向的磁場(chǎng)。

但是,當(dāng)單純依靠電流產(chǎn)生磁場(chǎng)時(shí),由于相對(duì)自由的散布在空間,非常容易受到外在雜散磁場(chǎng)影響。比如,其他通電導(dǎo)線(xiàn),或者附近電機(jī)的磁場(chǎng)都有可能完全混淆到磁場(chǎng)中,使原本的待測(cè)電流信號(hào)不可辨分。

霍爾傳感器

檢測(cè)磁鐵為例的霍爾效應(yīng)示意圖

霍爾式電流傳感器構(gòu)造原理:

作為基本的磁學(xué)原理,所有各條磁感線(xiàn)具有永不相交和各自閉合的特性。當(dāng)使用帶氣隙(airgap)的磁環(huán)時(shí),由于磁環(huán)本身為軟磁(Soft Iron)材料的導(dǎo)磁(magnetic conduction)特性,使電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)匯聚到磁環(huán)中,并在氣隙中產(chǎn)生均勻磁場(chǎng)(homogeneousfield)。由此,很容易直觀(guān)理解其結(jié)構(gòu)的兩大優(yōu)點(diǎn),外在雜散磁場(chǎng)對(duì)氣隙中的磁場(chǎng)影響小到可以忽略,并且在氣隙中磁場(chǎng)因獲得額外增益而得以加強(qiáng)。---電流傳感器

電流傳感器

在氣隙狹小的空間中,磁環(huán)方案的電流檢測(cè)獲得出色的抗干擾、抗共模特性。

假設(shè)氣隙的大小是g(mm),如圖所示。而導(dǎo)線(xiàn)通過(guò)的電流為I(A),則磁感強(qiáng)度B(mT)可以由以下經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算出

霍爾傳感器

以電流為400A、氣隙大小是2.5mm為例,在氣隙內(nèi)的區(qū)域,可以產(chǎn)生200mT(即2000Gauss)的磁場(chǎng)。

這時(shí)候,為了檢測(cè)該磁場(chǎng),氣隙中需要一顆能夠處理200mT磁感應(yīng)強(qiáng)度的線(xiàn)性霍爾電流傳感器芯片放置在氣隙中,它可以用來(lái)反映被檢測(cè)的電流。