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    開環(huán)電流傳感器:通常，開環(huán)霍爾效應(yīng)傳感器使用磁性傳感器產(chǎn)生與感應(yīng)電流成正比的電壓，該電壓擴大到與導體電流成正比的模擬信號輸出。在其結(jié)構(gòu)上，導體通過磁鐵的中心位置集中磁場，磁鐵傳感器放置在磁鐵的間隙中，如圖1所示。在開環(huán)結(jié)構(gòu)中，霍爾效應(yīng)電流傳感器IC可能對溫度的非線性和靈敏度的漂移產(chǎn)生誤差。

    閉環(huán)傳感器使用電流傳感器IC主動驅(qū)動的線圈，產(chǎn)生與導體電流相反的磁場。這樣，霍爾傳感器總是在零磁場的工作點運行。輸出信號由電阻器產(chǎn)生，該電阻器的電壓與線圈中的電流成正比，該電流也與繞在磁芯線圈中的電流成正比翻譯細節(jié)。

    電流傳感器不僅需要鐵芯，還需要線圈和額外的高功率放大器來驅(qū)動線圈。閉環(huán)電流傳感器比開環(huán)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，但系統(tǒng)只在零磁場這個工作點運行，消除了與霍爾傳感器IC相關(guān)的靈敏度誤差。如果設(shè)計合理，閉環(huán)和開環(huán)霍爾效應(yīng)電流傳感器通常具有相同的零安培輸出電壓性能，因此兩者的零安培檢測精度非常相似。

    如果要求高精度，通常選擇閉環(huán)電流傳感器，可以消除上述系統(tǒng)的靈敏度非線性誤差。在一些應(yīng)用中，為了更好地控制應(yīng)用中的電流，需要快速響應(yīng)來保護IGBT和MOSFET等半導體設(shè)備。如果能夠足夠的精度和響應(yīng)速度，由于其尺寸、功耗等先天優(yōu)勢，開環(huán)傳感器也是理想的選擇。